Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTF3055L108T1G, 60 В, 1,4 А, SOT223 (набор 20 шт.)

2 310 ₴

  • В наличии
  • Код: TM036438
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTF3055L108T1G, 60 В, 1,4 А, SOT223 (набор 20 шт.)
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTF3055L108T1G, 60 В, 1,4 А, SOT223 (набор 20 шт.)В наличии
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Набор из 20 транзисторов N-MOSFET от производителя ONSEMI, модель NTF3055L108T1G. Компоненты в корпусе SOT223 предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и рассчитаны на напряжение 60 В и ток 1,4 А.

  • Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
  • Максимальное напряжение: 60 В
  • Ток стока: 1,4 А (импульсный до 9 А)
  • Корпус: SOT223, монтаж SMD
  • Рассеиваемая мощность: 1,3 Вт
  • Сопротивление в состоянии проводимости: 0,12 Ом
  • Количество в наборе: 20 шт.

Технические параметры

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения типа. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 60 В, а постоянный ток стока — 1,4 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 9 А.

Электрические характеристики

Рассеиваемая мощность транзистора равна 1,3 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет 0,12 Ом. Заряд затвора (Qg) — 15 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±15 В.

Корпус и монтаж

Компоненты выполнены в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD).

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания1.3 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток15 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток60 В
Максимально допустимый ток стока1.4 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)120 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте20 шт.
КорпусSOT223
Информация для заказа
  • Цена: 2 310 ₴