
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTF3055L108T1G, 60 В, 1,4 А, SOT223 (набор 20 шт.)
2 310 ₴
- В наличии
- Код: TM036438
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET от производителя ONSEMI, модель NTF3055L108T1G. Компоненты в корпусе SOT223 предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и рассчитаны на напряжение 60 В и ток 1,4 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение: 60 В
- Ток стока: 1,4 А (импульсный до 9 А)
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Рассеиваемая мощность: 1,3 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 0,12 Ом
- Количество в наборе: 20 шт.
Технические параметры
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения типа. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 60 В, а постоянный ток стока — 1,4 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 9 А.
Электрические характеристики
Рассеиваемая мощность транзистора равна 1,3 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет 0,12 Ом. Заряд затвора (Qg) — 15 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±15 В.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Информация для заказа
- Цена: 2 310 ₴
