Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTE4153NT1G, 20 В, 0,66 А, 0,3 Вт, SC89 (50 шт.)
1 860 ₴
- В наличии
- Код: TM076215
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTE4153NT1G, 20 В, 0,66 А, 0,3 Вт, SC89 (50 шт.)В наличии
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTE4153NT1G — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 50 штук в корпусе SC89 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 В
- Максимально допустимый ток стока: 0,66 А
- Максимальная мощность рассеивания: 0,3 Вт
- Корпус: SC89 (SMD монтаж)
- Количество в комплекте: 50 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 20 В, а ток стока — 0,66 А. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 0,3 Вт. Эти характеристики определяют рабочие границы транзистора в электрических цепях.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SC89. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Комплектация
В набор поставляется 50 штук транзисторов. Количество в комплекте указано в спецификации товара.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 6 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.66 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 230 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | SC89 |
Информация для заказа
- Цена: 1 860 ₴