Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTD3055L104T4G, 60V, 12A, DPAK (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTD3055L104T4G — это униполярный компонент с каналом обогащения, используемый в электронных устройствах. Комплект из 20 штук обеспечивает запас для серийного монтажа или ремонта плат.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 12 А (постоянный), 45 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 48 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Комплектация: 20 штук

Электрические параметры и мощность

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 12 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 45 А, что позволяет использовать компонент в схемах с высокими пиковыми нагрузками. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 48 Вт, что требует надлежащего отвода тепла при длительной работе.

Удобный монтаж SMD

Компонент выполнен в корпусе DPAK с технологией поверхностного монтажа (SMD). Такое исполнение позволяет автоматизировать процесс пайки и экономить место на печатной плате. Корпус DPAK сочетает компактность с достаточной площадью для отвода тепла от кристалла.

Управление и сопротивление в открытом состоянии

Напряжение управления затвор-исток составляет ±15 В, что соответствует стандартным параметрам управления. Заряд затвора 20 нКл определяет скорость переключения и нагрузку на драйвер. Сопротивление в открытом состоянии 0,104 Ом обеспечивает низкие потери мощности при прохождении тока.

Транзистор ONSEMI NTD3055L104T4G является компонентом для электронных устройств.## Низкие потери при работе под нагрузкойСопротивление в открытом состоянии 0,104 Ом минимизирует нагрев компонента при прохождении тока. Это позволяет сохранять энергоэффективность схемы и снижает потребность в дополнительном охлаждении для умеренных нагрузок.## Скорость переключенияЗаряд затвора 20 нКл определяет скорость реакции транзистора на управляющие сигналы. Низкий заряд затвора упрощает работу драйверов и обеспечивает стабильную работу в динамических режимах.