Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTD2955T4G, -60В, -12А, DPAK (20 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTD2955T4G — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в схемах управления питанием. Комплект из 20 штук в корпусе DPAK обеспечивает удобство для массового монтажа и серийного производства.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: -60В
• Ток стока: -12А (в импульсе -18А)
• Мощность рассеивания: 55Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 0,18Ω
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Комплектация: 20 штук

Токовые характеристики

Транзистор выдерживает напряжение сток-исток до -60В и постоянный ток стока -12А. В импульсном режиме ток может достигать -18А, что позволяет использовать компонент в динамических нагрузках. Мощность рассеивания составляет 55Вт, что требует надлежащего отвода тепла при длительной работе.

Сопротивление и управление затвором

Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,18Ω, что минимизирует потери энергии и нагрев при коммутации. Заряд затвора составляет 15nC, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу затвора. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±20В, что является стандартным параметром для MOSFET-транзисторов.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе DPAK, который сочетает компактность с возможностями отвода тепла. Монтаж осуществляется технологией SMD (поверхностный монтаж), что подходит для автоматизированных линий производства электронных плат.

Тип канала и полярность транзистора