P-MOSFET транзистор ONSEMI NTD25P03LT4G в корпусе DPAK предназначен для электронных схем. Комплект состоит из 30 единиц, что обеспечивает удобство для серийного монтажа или ремонтных работ.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -30 В
- Ток стока: -25 А
- Рассеиваемая мощность: 75 Вт
- Корпус: DPAK (SMD монтаж)
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Напряжение сток-исток составляет -30 В, а ток стока — -25 А. Рассеиваемая мощность составляет 75 Вт, что требует надлежащего теплового режима при эксплуатации. Сопротивление в открытом состоянии равно 90 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DPAK, который является стандартным для поверхностного монтажа (SMD). Полярность транзистора — униполярная, канал обогащенный.
Дополнительные параметры и комплектация
В упаковке содержится 30 транзисторов. Количество в комплекте — 30 шт. Напряжение затвор-исток составляет ±15 В, а заряд затвора — 20 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 75 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 90 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 710 ₴

