Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTD20P06LT4G, DPAK, -60В, -15,5А (комплект 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTD20P06LT4G в корпусе DPAK. Комплект из 20 штук обеспечивает запас компонентов для серийного производства или ремонта оборудования.

• Тип транзистора: P-MOSFET, обогащенный канал
• Максимальное напряжение сток-исток: -60 В
• Ток стока: -15,5 А
• Рассеиваемая мощность: 65 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

P-канальный MOSFET с обогащенным каналом работает при напряжении сток-исток до -60 В и токе стока до -15,5 А. Рассеиваемая мощность составляет 65 Вт, что позволяет использовать транзистор в схемах со средней нагрузкой. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,13 Ом, что минимизирует потери энергии во время работы.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе DPAK, который является стандартом для поверхностного монтажа (SMD). Такое решение упрощает автоматизацию процесса пайки и экономит место на печатной плате. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что соответствует типичным уровням управляющих сигналов.

Комплектация

В упаковке находится 20 транзисторов. Такой объем удобен для инженеров и мастерских, которым нужна небольшая партия однотипных компонентов без заказа больших оптовых количеств.