Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTD14N03RT4G, DPAK, 25 В, 2,5 А (комплект 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTD14N03RT4G — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Товар поставляется комплектом из 40 штук в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 25 В
• Постоянный ток стока: 2,5 А (импульсный: 28 А)
• Рассеиваемая мощность: 20,8 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж: SMD
• Комплектация: 40 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 25 В и постоянный ток стока 2,5 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 28 А. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а сопротивление в открытом состоянии — 0,117 Ом.

Тепловые характеристики и монтаж

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 20,8 Вт. Прибор выполнен в корпусе DPAK с типом монтажа SMD. Заряд затвора равен 1,8 нКл.