Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTA4153NT1G, 20В, 0,915А, SC75, ESD (100 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTA4153NT1G — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Модель выполнена в корпусе SC75 и имеет защиту от электростатического разряда (ESD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 20 В
• Ток стока: 0,915 А
• Рассеиваемая мощность: 0,3 Вт
• Корпус: SC75, монтаж SMD
• Защита ESD
• Набор: 100 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 20 В и выдерживает ток стока 0,915 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,3 Вт, а допустимое напряжение между затвором и истоком — ±6 В.

Сопротивление и заряд затвора

Сопротивление в открытом состоянии равно 0,95 Ом. Заряд затвора составляет 1,82 нКл.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен в компактном корпусе SC75 для поверхностного монтажа (SMD). Версия ESD указывает на наличие встроенной защиты от электростатического разряда.