Транзистор ONSEMI NSVBC858CLT1G PNP SOT23, набор 80 шт.
1 930 ₴
- В наличии
- Код: TM076181
Транзистор ONSEMI NSVBC858CLT1G PNP SOT23, набор 80 шт.В наличии
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI NSVBC858CLT1G — это биполярный полупроводниковый прибор структуры PNP в корпусе SOT23 (TO236AB). Товар поставляется комплектом из 80 штук.
- Тип: биполярный транзистор структуры PNP
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Граничная частота: 100 МГц
- Коэффициент усиления (hFE): 420...800
- Комплектация: набор из 80 штук
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 30 В и ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт, что соответствует ограничениям малогабаритного корпуса для поверхностного монтажа.
Частотные характеристики и усиление
Граничная частота перехода равна 100 МГц. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 420...800.
Монтаж и применение
Компонент выполнен в корпусе SOT23 (TO236AB) для технологии SMD (поверхностного монтажа). Согласно данным производителя, транзистор предназначен для применения в автомобильной промышленности.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 30 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 80 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 1 930 ₴