Транзистор ONSEMI NSS20200LT1G — это биполярный компонент структуры PNP в корпусе SOT23 (TO236AB). Комплект состоит из 50 единиц, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: PNP, биполярный
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 20 В
- Ток коллектора: 2 А
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Коэффициент усиления: 250
- Количество в комплекте: 50 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 20 В и ток коллектора 2 А. Коэффициент усиления по току составляет 250, что обеспечивает эффективное управление нагрузкой. Максимальная рассеиваемая мощность равна 0,71 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23, также известном как TO236AB. Такое исполнение предполагает поверхностный монтаж (SMD), что позволяет экономить место на печатной плате. Рабочая частота транзистора достигает 100 МГц.
Комплектация
В упаковке находится 50 транзисторов NSS20200LT1G. Такой объем удобен для серийного производства или ремонтных работ, где требуется замена или установка нескольких однотипных компонентов.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.71 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 20 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 2 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
- Цена: 2 190 ₴

