Биполярный транзистор ONSEMI NJVNJD2873T4G типа NPN в корпусе DPAK. Комплект состоит из 50 штук, предназначенных для SMD-монтажа.
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 2 А
- Мощность рассеивания: 12,5 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 50 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер 50 В и током коллектора 2 А. Мощность рассеивания составляет 12,5 Вт.
Частотные характеристики
Верхняя граничная частота составляет 65 МГц.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Коэффициент усиления по току (hFE) составляет 120...360. Транзистор предназначен для применения в автомобильной промышленности.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 12.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 2 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 65 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 190 ₴

