Транзистор IGBT ONSEMI NGTB40N120FL3WG, 1200 В, 40 А, TO247-3 (5 шт.)

IGBT-транзистор ONSEMI NGTB40N120FL3WG в корпусе TO247-3 предназначен для мощных силовых электронных схем. Комплект состоит из 5 штук, что удобно для серийного монтажа или ремонтных работ. Компонент сочетает высокое напряжение коллектор-эмиттер 1,2 кВ и ток 40 А, что делает его пригодным для инверторов и импульсных источников питания.

• Напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В
• Ток коллектора: 40 А (импульсный до 160 А)
• Рассеиваемая мощность: 227 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Наличие встроенного антипараллельного диода
• Комплектация: 5 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 1,2 кВ, что позволяет использовать его в сетях с повышенным напряжением. Номинальный ток коллектора составляет 40 А, а импульсный ток может достигать 160 А. Это обеспечивает стабильную работу при пиковых нагрузках в силовых модулях.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 227 Вт. Корпус TO247-3 способствует эффективному отводу тепла от кристалла к радиатору. Такая конструкция важна для поддержания стабильной температуры компонентов в закрытых корпусах оборудования.

Встроенный диод и монтаж

Компонент имеет встроенный антипараллельный диод, что упрощает схемотехнику и уменьшает количество внешних элементов. Монтаж выполняется методом THT (сквозь отверстия), что гарантирует надежный механический контакт с печатной платой. Напряжение на затворе ограничено ±20 В, что требует соответствующего управляющего драйвера. Заряд затвора составляет 212 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к мощности драйвера.