
Транзистор IGBT ONSEMI NGTB35N65FL2WG, 650 В, 35 А, TO247-3 (набор 5 шт.)
2 680 ₴
- В наличии
- Код: TM019897
IGBT-транзистор ONSEMI NGTB35N65FL2WG — это полупроводниковый прибор для мощных электронных схем. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO247-3, что удобно для серийного монтажа и ремонта. Прибор рассчитан на высокое напряжение и ток, что делает его универсальным решением для инверторов и источников питания.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 35 А (импульсный до 120 А)
- Рассеиваемая мощность: 150 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Комплект: 5 транзисторов
Высокое напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, что позволяет использовать его в сетевых устройствах. Номинальный ток коллектора составляет 35 А, а импульсный ток может достигать 120 А. Это обеспечивает надежную работу при резких нагрузках и пусковых токах.
Эффективное рассеивание тепла
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 150 Вт. Корпус TO247-3 способствует эффективному отводу тепла от кристалла на радиатор. Такая конструкция важна для стабильной работы устройств под длительной нагрузкой.
Удобный монтаж и комплектация
Предназначен для навесного монтажа (THT), что упрощает процесс установки на печатные платы. В комплект входят 5 транзисторов, что выгодно для одновременной замены нескольких элементов или для небольших серийных изделий. Заряд затвора составляет 125 нКл, что влияет на скорость переключения.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 35 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
- Цена: 2 680 ₴
