Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDT3055L, 60 В, 4 А, SOT223, набор 20 шт.
2 960 ₴
- В наличии
- Код: TM019889
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDT3055L, 60 В, 4 А, SOT223, набор 20 шт.В наличии
2 960 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDT3055L — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель имеет напряжение сток-исток 60 В и ток стока 4 А. Товар поставляется в наборе из 20 штук в корпусе SOT223.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Максимальный ток стока: 4 А
- Рассеиваемая мощность: 3 Вт
- Корпус: SOT223 для поверхностного монтажа (SMD)
- Набор из 20 штук
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток 60 В и максимальный ток стока 4 А. Рассеиваемая мощность составляет 3 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,18 Ом. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Заряд затвора равен 20 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD). Рассеиваемая мощность составляет 3 Вт.
Комплектация
Товар поставляется как набор из 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 180 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Информация для заказа
- Цена: 2 960 ₴