Комплект из 100 биполярных транзисторов ONSEMI MUN5312DW1T1G в корпусе SOT363. Это комплементарная пара NPN/PNP со встроенными резисторами, предназначенная для поверхностного монтажа (SMD).
- Комплект из 100 транзисторов
- Комплементарная пара NPN/PNP
- Встроенные резисторы 22 кОм
- Напряжение коллектор-эмиттер 50 В
- Ток коллектора 0,1 А
- Корпус SOT363 (SMD)
Комплементарная пара NPN/PNP
Транзисторы MUN5312DW1T1G представляют собой комплементарную пару, объединяющую структуры NPN и PNP в одном корпусе. Встроенные резисторы базы и эмиттер-база номиналом 22 кОм.
Электрические параметры и мощность
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 50 В. Максимальный ток коллектора ограничен значением 0,1 А, а рассеиваемая мощность — 0,385 Вт. Коэффициент усиления тока (hFE) равен 100. Рассеиваемая мощность составляет 0,385 Вт.
Корпус SOT363
Компоненты выполнены в корпусе SOT363, который также обозначается как SC70-6 или SC88. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.385 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 100 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴

