Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор ONSEMI MUN5312DW1T1G, NPN/PNP, 50В, 100 шт.

1 950 ₴

  • В наличии
  • Код: TM076051
Транзистор ONSEMI MUN5312DW1T1G, NPN/PNP, 50В, 100 шт.
Транзистор ONSEMI MUN5312DW1T1G, NPN/PNP, 50В, 100 шт.В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Комплект из 100 биполярных транзисторов ONSEMI MUN5312DW1T1G в корпусе SOT363. Это комплементарная пара NPN/PNP со встроенными резисторами, предназначенная для поверхностного монтажа (SMD).

  • Комплект из 100 транзисторов
  • Комплементарная пара NPN/PNP
  • Встроенные резисторы 22 кОм
  • Напряжение коллектор-эмиттер 50 В
  • Ток коллектора 0,1 А
  • Корпус SOT363 (SMD)

Комплементарная пара NPN/PNP

Транзисторы MUN5312DW1T1G представляют собой комплементарную пару, объединяющую структуры NPN и PNP в одном корпусе. Встроенные резисторы базы и эмиттер-база номиналом 22 кОм.

Электрические параметры и мощность

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 50 В. Максимальный ток коллектора ограничен значением 0,1 А, а рассеиваемая мощность — 0,385 Вт. Коэффициент усиления тока (hFE) равен 100. Рассеиваемая мощность составляет 0,385 Вт.

Корпус SOT363

Компоненты выполнены в корпусе SOT363, который также обозначается как SC70-6 или SC88. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания0.385 Вт
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер50 В
Максимально допустимый ток коллектора0.1 А
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораБиполярный
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте100 шт.
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Информация для заказа
  • Цена: 1 950 ₴