Транзистор NPN x2 ONSEMI MUN5233DW1T1G — это биполярный компонент со встроенными резисторами, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Упаковка содержит 60 единиц.
- Тип: NPN x2, биполярный, со встроенными резисторами (BRT)
- Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,25 Вт
- Корпус: SC70-6 / SC88 / SOT363 (SMD)
- Комплектация: 60 шт.
Технические параметры
Компонент работает с напряжением коллектор-эмиттер 50 В и током коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,25 Вт, а коэффициент усиления (hFE) находится в диапазоне 80...200. Эти характеристики определяют рабочий режим транзистора в электрических схемах.
Встроенные резисторы
Модель MUN5233DW1T1G является транзистором с резистором (BRT). Сопротивление базы (R1) равно 4,7 кОм, а сопротивление эмиттер-база (R2) — 47 кОм. Наличие встроенных резисторов означает, что внешние элементы для смещения базы интегрированы в корпус.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе SC70-6 (также известном как SC88 или SOT363). Это корпус для поверхностного монтажа (SMD).
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
- Цена: 1 880 ₴

