Транзистор NPN ONSEMI MUN5214T1G, SOT323, 50В, 100мА (комплект 300 шт.)

Транзистор NPN ONSEMI MUN5214T1G — это биполярный компонент со встроенными резисторами (BRT) в корпусе SOT323. Комплект состоит из 300 штук, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: NPN, биполярный, BRT (со встроенными резисторами)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
• Ток коллектора: 100 мА
• Рассеиваемая мощность: 310 мВт
• Корпус: SC70 / SOT323, монтаж SMD
• Встроенные резисторы: база 10 кОм, база-эмиттер 47 кОм
• Коэффициент усиления (hFE): 80–140
• Комплектация: 300 штук

Технические параметры

Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 50 В и током коллектора 100 мА. Рассеиваемая мощность составляет 310 мВт. Коэффициент усиления (hFE) находится в диапазоне 80–140.

Встроенные резисторы

Модель MUN5214T1G является транзистором типа BRT (Bias Resistor Transistor), что означает наличие интегрированных резисторов. Сопротивление базового резистора составляет 10 кОм, а резистора между базой и эмиттером — 47 кОм. Резисторы интегрированы в корпус транзистора.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SC70 (SOT323). Монтаж осуществляется методом SMD (Surface Mount Device).