Транзистор ONSEMI MUN5211T1G NPN, 50В, 0,1А, SOT323, комплект 150 шт.

Транзистор ONSEMI MUN5211T1G — это биполярный NPN-транзистор со встроенными резисторами (BRT) в корпусе SOT323. Комплект состоит из 150 штук, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: NPN, биполярный, BRT (со встроенными резисторами)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
• Ток коллектора: 0,1 А
• Мощность рассеивания: 0,31 Вт
• Корпус: SC70 / SOT323, монтаж SMD
• Встроенные резисторы базы и эмиттер-база: 10 кОм
• Количество в комплекте: 150 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 50 В и ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,31 Вт, а коэффициент усиления (hFE) равен 60.

Встроенные резисторы

Модель MUN5211T1G является транзистором типа BRT (Bias Resistor Transistor), что означает наличие встроенных резисторов. Сопротивление резистора базы и резистора эмиттер-база составляет 10 кОм каждый.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в компактном корпусе SC70 (SOT323). Монтаж осуществляется методом SMD (Surface Mount Device).