Транзистор ONSEMI MUN5112DW1T1G PNP x2 BRT SMD (300 шт.)
2 320 ₴
- В наличии
- Код: TM036372
Транзистор ONSEMI MUN5112DW1T1G PNP x2 BRT SMD (300 шт.)В наличии
2 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI MUN5112DW1T1G — это комплект из 300 биполярных транзисторов типа PNP (двойной) со встроенными резисторами (BRT). Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусах SC70-6, SC88 или SOT363.
- Тип транзистора: PNP x2 (двойной)
- Наличие встроенных резисторов (BRT)
- Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,187 Вт
- Резисторы базы и эмиттера-базы: 22 кОм
- Корпуса: SC70-6, SC88, SOT363
- Количество в комплекте: 300 шт.
Электрические параметры
Компонент имеет напряжение коллектор-эмиттер 50 В и ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,187 Вт. Встроенные резисторы базы и эмиттера-базы имеют номинал 22 кОм.
Корпус и монтаж
Транзисторы выполнены в компактных корпусах SC70-6, SC88, SOT363 для технологии SMD.
Комплектация
Упаковка содержит 300 штук транзисторов. Символ производителя: MUN5112DW1T1G.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.187 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 300 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Информация для заказа
- Цена: 2 320 ₴