Транзистор PNP ONSEMI MMUN2217LT1G, SOT23, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт (набор 200 шт.)

Транзистор PNP типа BRT от производителя ONSEMI, модель MMUN2217LT1G, в корпусе SOT23. Это биполярный транзистор со встроенными резисторами, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется набором из 200 штук.

• Тип транзистора: PNP, биполярный, BRT
• Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 0.1 А
• Максимальная мощность рассеивания: 0.246 Вт
• Комплектация: набор из 200 штук

Технические параметры

Максимальная мощность рассеивания составляет 0.246 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер равно 50 В, а максимальный ток коллектора — 0.1 А. Эти характеристики определяют границы безопасной эксплуатации транзистора в электрических цепях.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23 (TO236AB), что обеспечивает компактность размещения на плате. Тип монтажа — SMD (поверхностный).

Особенности структуры

Транзистор относится к типу BRT (Bias Resistor Transistor), что означает наличие встроенных резисторов в базовой цепи. Согласно данным производителя, сопротивление резистора базы составляет 4,7 кОм, а резистора эмиттер-база — 10 кОм. Внешние резисторы для ограничения тока базы интегрированы в компонент.