Транзистор ONSEMI MMUN2216LT1G — это биполярный NPN-транзистор со встроенным базовым резистором (BRT) в корпусе SOT23. Позиция продается набором из 150 штук, что удобно для массового монтажа на платах.
- Тип: биполярный NPN-транзистор со встроенным резистором (BRT)
- Корпус: SOT23 (TO236AB) для SMD-монтажа
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,246 Вт
- Базовый резистор: 4,7 кОм
- Количество в наборе: 150 шт.
Технические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 50 В и ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,246 Вт. Встроенный базовый резистор имеет номинал 4,7 кОм, что упрощает подключение к логическим выходам микроконтроллеров.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23 (TO236AB) для поверхностного монтажа (SMD). Такой формат позволяет экономить место на печатной плате и обеспечивает автоматизацию процесса пайки.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.246 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 080 ₴

