
Транзистор NPN ONSEMI MMUN2216LT1G, SOT23, 50 В, 0,1 А (набор 150 шт.)
2 080 ₴
- В наличии
- Код: TM036352
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Биполярный транзистор NPN ONSEMI MMUN2216LT1G в корпусе SOT23 (TO236AB). Это компонент со встроенным базовым резистором 4,7 кОм, предназначенный для поверхностного монтажа. В комплекте 150 штук.
- Тип транзистора: биполярный NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Максимальный ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,246 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Встроенный базовый резистор: 4,7 кОм
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 50 В, а максимальный ток коллектора — 0,1 А. Максимальная мощность рассеивания равна 0,246 Вт. Транзистор является биполярным с типом проводимости NPN.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT23, также известном как TO236AB. Тип монтажа — поверхностный (SMD). В конструкции предусмотрен встроенный базовый резистор номиналом 4,7 кОм.
Комплектация
В наборе 150 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.246 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 080 ₴
