Транзистор PNP типа BRT от производителя ONSEMI, модель MMUN2111LT1G. Поставляется в комплекте из 200 штук в корпусе SOT23 (TO236AB) для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: PNP, биполярный, BRT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,246 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Встроенные резисторы базы и эмиттер-база: 10 кОм
- Коэффициент усиления: 35...60
- Количество в комплекте: 200 шт.
Технические параметры
Транзистор является биполярным компонентом структуры PNP со встроенными резисторами (BRT). Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 50 В, а ток коллектора — 0,1 А. Мощность рассеивания равна 0,246 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.
Встроенные резисторы
Компонент имеет встроенный резистор базы и резистор эмиттер-база, каждый из которых имеет номинал 10 кОм. Коэффициент усиления транзистора составляет 35...60.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в стандартном корпусе SOT23, также известном как TO236AB. Такой формат предназначен для технологии поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.246 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 200 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 280 ₴

