Транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1T550N055T2, 55В, 550А, SMPD

Транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1T550N055T2 — это мощный силовой компонент на базе технологии GigaMOS™, предназначенный для высоковольтных применений с большими токами. Он обеспечивает номинальный ток 550 А и импульсный ток до 2 кА при напряжении 55 В, что делает его идеальным для промышленной электроники и силовых преобразователей.

• Номинальный ток стока 550 А
• Импульсный ток до 2 кА
• Низкое сопротивление открытого канала 1,3 мОм
• Рассеиваемая мощность 830 Вт
• Корпус SMPD для SMD монтажа
• Технология GigaMOS™ и TrenchT2™

Высокая токовая нагрузка

Компонент работает с постоянным током стока 550 А, а в импульсном режиме выдерживает пиковые значения до 2 кА. Такая характеристика позволяет использовать транзистор в цепях с высоким пусковым током или кратковременными перегрузками, обеспечивая стабильность работы системы.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 830 Вт, что требует качественного отвода тепла. Низкое сопротивление в открытом состоянии 1,3 мОм минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы, что повышает общий КПД устройства.

Быстрая коммутация и управление

Время включения транзистора составляет 100 нс, что обеспечивает быстрое переключение в импульсных схемах. Заряд затвора 595 нКл и допустимое напряжение затвор-исток ±20 В определяют параметры управления компонентом.

Компактный монтаж SMD

Транзистор выполнен в корпусе SMPD для поверхностного монтажа (SMD). Это позволяет создавать компактные силовые модули.