Транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1F44N100Q3, 1000 В, 30 А, SMPD

Транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1F44N100Q3 — это силовой полевой транзистор с каналом обогащения и технологией HiPerFET™ Q3-Class. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 1000 В и ток стока 30 А, что соответствует классу высоковольтных компонентов.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 В
• Максимально допустимый ток стока: 30 А (импульсный: 110 А)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 245 мОм
• Корпус: SMPD, тип монтажа: поверхностный
• Технология: HiPerFET™, Q3-Class

Напряжение и ток

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 1000 В, а напряжение затвор-исток ограничено 30 В. Ток стока в стационарном режиме достигает 30 А, а в импульсном режиме может достигать 110 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 245 мОм, что определяет тепловые потери при проводимости. Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 694 Вт.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SMPD с поверхностным типом монтажа (SMD). Транзистор является униполярным с каналом обогащения (enhancement mode).