Транзистор IXYS MMIX1F40N110P N-MOSFET 1100 В 24 А SMPD

Транзистор IXYS MMIX1F40N110P — это силовой N-MOSFET на базе технологии Polar™, разработанный для высоковольтных применений. Устройство обеспечивает рабочий ток 24 А и импульсный ток до 100 А при напряжении 1100 В, что делает его эффективным решением для промышленной электроники.

• Напряжение сток-исток 1,1 кВ для высоковольтных применений
• Рабочий ток 24 А и импульсный ток 100 А
• Рассеиваемая мощность 500 Вт
• Быстрая коммутация: время задержки 300 нс
• Корпус SMPD для поверхностного монтажа (SMD)
• Технология Polar™ и HiPerFET™

Высоковольтная стойкость

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 1100 В, что позволяет использовать его в сетях высокого напряжения. Эта характеристика критична для инверторов и источников питания, где требуется надежная изоляция и стабильность работы под высокой нагрузкой.

Высокая рассеиваемая мощность

Транзистор имеет номинальный ток стока 24 А и импульсный ток 100 А. Рассеиваемая мощность составляет 500 Вт, что позволяет эффективно отводить тепло при высоких нагрузках.

Низкие потери при коммутации

Время задержки 300 нс обеспечивает быстрое переключение состояний. Заряд затвора 310 нКл и сопротивление в открытом состоянии 0,29 Ом способствуют снижению энергопотерь и упрощают схему управления.

Технология и надежность

Использование технологий HiPerFET™ и Polar™ обеспечивает стабильную работу. Корпус SMPD для монтажа SMD позволяет экономить место на плате и упрощает автоматизацию производства.