Транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1F210N30P3, 300 В, 108 А, корпус SMPD
4 020 ₴
- В наличии
- Код: TM019812
Транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1F210N30P3, 300 В, 108 А, корпус SMPDВ наличии
4 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1F210N30P3 — это униполярный компонент технологии Polar3™ с напряжением 300 В и током 108 А.
- Ток стока 108 А
- Импульсный ток 550 А
- Напряжение сток-исток 300 В
- Рассеиваемая мощность 520 Вт
- Корпус SMPD для SMD монтажа
- Технология Polar3™
Высокая мощность и ток
Транзистор обеспечивает постоянный ток стока 108 А и импульсный ток до 550 А. Рассеиваемая мощность составляет 520 Вт.
Быстрая коммутация
Время включения транзистора составляет 250 нс. Заряд затвора составляет 268 нК.
Технические параметры и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SMPD для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а сопротивление в открытом состоянии — 16 мОм. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 520 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 300 В |
| Максимально допустимый ток стока | 108 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 250 нс |
| Корпус | SMPD |
Информация для заказа
- Цена: 4 020 ₴