Диоды TVS ONSEMI MMBZ27VALT1G в корпусе SOT23. Напряжение пробоя составляет 27 В. Структура диодов — двойная с общей анодом.
- Напряжение пробоя 27 В
- Импульсная мощность 40 Вт и пиковый ток 1 А
- Корпус SOT23, монтаж SMD
- Двойная структура с общей анодом
- Ток утечки 50 нА
- Комплект из 100 штук
Электрические параметры
Максимальная импульсная рассеиваемая мощность составляет 40 Вт, а пиковый ток — 1 А. Максимальное обратное напряжение — 22 В. Тип диодов — TVS «лесенка».
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Допуск напряжения пробоя составляет ±5%.
Версия и каналы
Версия диодов — ESD. Ток утечки составляет 50 нА. Количество каналов — 2.
Комплектация
В комплекте поставляется 100 диодов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток | 1 А |
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 22 В |
| Напряжение пробоя | 27 В |
| Дополнительные характеристики | |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Допуск | ±5% |
| Количество в комплекте | 100 шт. |
| Количество каналов | 2 |
| Корпус | SOT23 |
| Ток утечки | 50nA |
Информация для заказа
- Цена: 2 050 ₴

