Диоды TVS ONSEMI MMBZ12VALT1G — это защитный компонент в корпусе SOT23 с двойной структурой и общей анодной шиной. Это TVS-диод (защитный диод) версии ESD.
- Напряжение пробоя 12 В
- Импульсная мощность 40 Вт и ток 2,35 А
- Корпус SOT23 для поверхностного монтажа (SMD)
- Двойная структура с 2 каналами и общей анодом
- Ток утечки 0,2 мкА
- Комплект из 100 штук
Защита от перенапряжения
Напряжение пробоя составляет 12 В. Максимальная рассеиваемая мощность в импульсе составляет 40 Вт, а максимальный импульсный ток — 2,35 А.
Компактный монтаж SMD
Компонент выполнен в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Допуск параметров составляет ±5%.
Двойная структура и низкий ток утечки
Диод имеет двойную структуру с двумя каналами и общей анодом. Ток утечки — 0,2 мкА. Версия ESD.
Комплектация
Комплектация: 100 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток | 2.35 А |
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 8.5 В |
| Максимальный обратный ток | 0.2 мкА |
| Напряжение пробоя | 12 В |
| Дополнительные характеристики | |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Допуск | ±5% |
| Количество в комплекте | 100 шт. |
| Количество каналов | 2 |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 050 ₴

