Транзистор PNP ONSEMI MMBTA63LT1G, Дарлингтон, SOT23, 30 В, 0,5 А (комплект 150 шт.)
2 270 ₴
- В наличии
- Код: TM075841
Транзистор PNP ONSEMI MMBTA63LT1G, Дарлингтон, SOT23, 30 В, 0,5 А (комплект 150 шт.)В наличии
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI MMBTA63LT1G — это биполярный транзистор структуры PNP с схемой Дарлингтона, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется комплектом из 150 единиц в корпусе SOT23 (TO236AB).
- Тип транзистора: PNP, биполярный, Дарлингтон
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
- Максимальный ток коллектора: 0,5 А
- Мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Количество в комплекте: 150 шт.
Технические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 30 В и максимальный ток коллектора 0,5 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт. Эти характеристики определяют пределы работы компонента в электрических цепях.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23 (также известном как TO236AB). Тип монтажа — SMD (поверхностный).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 30 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.5 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 270 ₴