Транзистор PNP ONSEMI MMBTA56LT1G, 80 В, 0,5 А, SOT23, 150 шт.
2 080 ₴
- В наличии
- Код: TM036312
Транзистор PNP ONSEMI MMBTA56LT1G, 80 В, 0,5 А, SOT23, 150 шт.В наличии
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор PNP ONSEMI MMBTA56LT1G — это биполярный компонент в корпусе SOT23 для SMD-монтажа. Комплект состоит из 150 штук.
- Тип транзистора: PNP, биполярный
- Напряжение коллектор-эмиттер: 80 В
- Ток коллектора: 0,5 А
- Мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Коэффициент усиления: 100
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Максимальная частота: 50 МГц
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 80 В и током коллектора 0,5 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт, а коэффициент усиления — 100. Эти характеристики определяют возможности компонента в электрических схемах.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT23 (TO236AB) для поверхностного монтажа (SMD).
Частотные характеристики
Максимальная частота работы транзистора составляет 50 МГц.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 80 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.5 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 50 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 080 ₴