Транзистор NPN ONSEMI MMBTA42LT1G — это биполярный полупроводниковый прибор в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 150 единиц.
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
- Ток коллектора: 0,5 А
- Мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 300 В и током коллектора 0,5 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт, а коэффициент усиления по току — 40. Максимальная граничная частота равна 50 МГц.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23 (TO236AB), который предназначен для технологии SMD.
Комплектация
Упаковка содержит 150 транзисторов MMBTA42LT1G.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 300 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.5 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 50 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 430 ₴

