Транзистор NPN ONSEMI MMBTA13LT1G, Дарлингтона, SOT23, 30В, 0,3А (набор 150 шт.)
2 090 ₴
- В наличии
- Код: TM036310
Транзистор NPN ONSEMI MMBTA13LT1G, Дарлингтона, SOT23, 30В, 0,3А (набор 150 шт.)В наличии
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор NPN ONSEMI MMBTA13LT1G — это биполярный транзистор Дарлингтона в корпусе SOT23 (TO236AB) для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 150 штук. Максимальный ток коллектора составляет 0,3 А, а напряжение коллектор-эмиттер — до 30 В.
- Тип транзистора: NPN, биполярный, Дарлингтона
- Напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
- Ток коллектора: 0,3 А
- Рассеиваемая мощность: 0,225 Вт
- Частота: 125 МГц
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 30 В и выдерживает ток коллектора 0,3 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,225 Вт, что определяет тепловой режим компонента. Частота составляет 125 МГц.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT23 (TO236AB) с типом монтажа SMD.
Комплектация
В наборе поставляется 150 транзисторов MMBTA13LT1G.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 30 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.3 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 125 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 090 ₴