Транзистор ONSEMI MMBT6520LT1G PNP SOT23, 350 В, 0,5 А, набор 80 шт.
2 040 ₴
- В наличии
- Код: TM075818
Транзистор ONSEMI MMBT6520LT1G PNP SOT23, 350 В, 0,5 А, набор 80 шт.В наличии
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI MMBT6520LT1G — это биполярный полупроводниковый прибор структуры PNP в корпусе SOT23 (TO236AB). Представлен комплектом из 80 единиц для монтажа на поверхность (SMD).
- Тип: биполярный транзистор PNP
- Напряжение коллектор-эмиттер: 350 В
- Ток коллектора: 0,5 А
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Частота: 200 МГц
- Комплектация: 80 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 350 В и ток коллектора 0,5 А. Коэффициент усиления по току (hFE) составляет 30...200. Максимальная частота 200 МГц определяет рабочий диапазон прибора.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23 (TO236AB) для поверхностного монтажа (SMD). Мощность рассеивания составляет 0,225/0,3 Вт, что соответствует габаритам корпуса и условиям теплообмена.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 350 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.5 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 200 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 80 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 040 ₴