Транзистор NPN ONSEMI MMBT5551LT1G, SOT23, 160 В, 0,6 А (комплект 150 шт.)
1 970 ₴
- В наличии
- Код: TM075813
Транзистор NPN ONSEMI MMBT5551LT1G, SOT23, 160 В, 0,6 А (комплект 150 шт.)В наличии
1 970 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор NPN ONSEMI MMBT5551LT1G — это биполярный компонент в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 150 штук.
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 160 В
- Максимальный ток коллектора: 0,6 А
- Рассеиваемая мощность: 0,225/0,3 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 160 В и ток коллектора 0,6 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,225/0,3 Вт в зависимости от условий эксплуатации. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 80...250.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT23 (TO236AB). Предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 160 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.6 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 1 970 ₴