Транзистор биполярный NPN Diodes Incorporated MMBT5551-7-F, SOT23, 160 В, 0,6 А (набор 90 шт.)

Биполярный транзистор NPN-структуры от производителя Diodes Incorporated, модель MMBT5551-7-F. Предназначен для поверхностного монтажа в корпусе SOT23. В комплекте поставляется 90 единиц.

• Тип транзистора: биполярный NPN
• Корпус: SOT23, монтаж поверхностный
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 160 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 0,6 А
• Максимальная мощность рассеивания: 0,3 Вт
• Граничная частота передачи: 300 МГц
• Количество в комплекте: 90 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 160 В и ток коллектора до 0,6 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 0,3 Вт. Граничная частота передачи сигнала достигает 300 МГц, что определяет его рабочий диапазон.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOT23. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Полярность и тип транзистора — биполярный NPN.

Комплектация

Товар поставляется набором, содержащим 90 транзисторов MMBT5551-7-F.