Транзистор ONSEMI MMBT2369ALT1G, NPN, SOT23, 15 В, 0,2 А (набор 150 шт.)

Биполярный транзистор ONSEMI MMBT2369ALT1G типа NPN в корпусе SOT23 (TO236AB). Предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 15 В, а максимальный ток коллектора — 0,2 А.

• Тип транзистора: биполярный, NPN
• Корпус: SOT23 (TO236AB)
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 15 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 0,2 А
• Коэффициент усиления (hFE): 40...120
• Рассеиваемая мощность: 0,225/0,3 Вт
• Количество в комплекте: 150 шт.

Электрические параметры

Транзистор является биполярным компонентом с проводимостью типа NPN. Максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Vce) равно 15 В. Максимально допустимый постоянный ток коллектора (Ic) ограничен значением 0,2 А. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне от 40 до 120.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23, который также обозначается как TO236AB. Тип монтажа — поверхностный (SMD), что предполагает размещение на поверхности печатной платы. Рассеиваемая мощность указана как 0,225/0,3 Вт.

Комплектация

Товар поставляется в виде набора, содержащего 150 единиц транзисторов.