Транзистор NPN ONSEMI MMBT2369ALT1G — это биполярный компонент в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 150 штук, что удобно для серийного производства или крупных партий плат.
- Биполярный транзистор структуры NPN
- Корпус SOT23 (TO236AB) для SMD монтажа
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 15 В
- Ток коллектора: 0,2 А
- Рассеиваемая мощность: 0,225/0,3 Вт
- Коэффициент усиления: 40...120
- Комплект: 150 шт.
Технические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 15 В и ток коллектора 0,2 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,225/0,3 Вт в зависимости от условий эксплуатации. Коэффициент усиления (hFE) находится в диапазоне 40...120.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23 (TO236AB), что обеспечивает компактность на печатной плате. Тип монтажа — SMD (Surface Mount Device), требующий соответствующего оборудования для пайки.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 15 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.2 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 430 ₴

