Транзистор NPN ONSEMI MMBT2222AWT1G, SOT323, 40 В, 0,6 А, 150 шт.
1 930 ₴
- В наличии
- Код: TM075777
Транзистор NPN ONSEMI MMBT2222AWT1G, SOT323, 40 В, 0,6 А, 150 шт.В наличии
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор NPN ONSEMI MMBT2222AWT1G в корпусе SOT323 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 150 штук.
- Структура NPN, биполярный тип
- Напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
- Ток коллектора: 0,6 А
- Рассеиваемая мощность: 0,15 Вт
- Корпус SOT323 (SC70), монтаж SMD
- Количество в комплекте: 150 шт.
Технические характеристики
Биполярный транзистор структуры NPN имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 40 В и ток коллектора 0,6 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,15 Вт, а коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 100–300.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в миниатюрном корпусе SC70 (SOT323) для поверхностного монтажа (SMD).
Частотные свойства
Частота: 300 МГц.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.15 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 40 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.6 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 300 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Информация для заказа
- Цена: 1 930 ₴