Транзистор P-JFET ONSEMI MMBFJ177LT1G, SOT23, 50 шт.
2 190 ₴
- В наличии
- Код: TM036296
Транзистор P-JFET ONSEMI MMBFJ177LT1G, SOT23, 50 шт.В наличии
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-JFET ONSEMI MMBFJ177LT1G — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа. Комплект состоит из 50 штук.
- Тип транзистора: P-JFET
- Корпус: SOT23
- Монтаж: SMD
- Рассеиваемая мощность: 0,225 Вт
- Ток утечки: 1,5 мА
- Сопротивление в состоянии проводимости: 300 Ом
- Количество в комплекте: 50 шт.
Технические параметры
Прибор имеет рассеиваемую мощность 0,225 Вт и ток утечки 1,5 мА. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 300 Ом, а максимальное напряжение между затвором и истоком — 30 В. Ток затвора (Igt) равен 50 мА.
Монтаж и корпус
Транзистор выполнен в стандартном корпусе SOT23, предназначенном для технологии поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.0015 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 190 ₴