Транзистор N-JFET ONSEMI MMBFJ111 в корпусе SOT23 — это униполярный компонент для поверхностного монтажа (SMD). Поставляется набором из 40 штук.
- Тип: N-JFET, униполярный
- Корпус: SOT23 для SMD монтажа
- Ток стока: 20 мА
- Мощность: 0,35 Вт
- Напряжение затвор-исток: -35 В
- Набор: 40 транзисторов
Технические параметры
Устройство является униполярным транзистором типа N-JFET. Максимальный ток стока составляет 20 мА, а рассеиваемая мощность — 0,35 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 30 Ом.
Электрические характеристики
Напряжение затвор-исток ограничено значением -35 В. Ток затвора составляет 50 мА. Эти параметры определяют рабочие режимы транзистора в электрических схемах.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Такой формат позволяет размещать транзистор на печатных платах без сверления отверстий.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.35 Вт |
| Максимально допустимый ток стока | 0.02 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 1 890 ₴

