Транзистор N-MOSFET ONSEMI MMBF2201NT1G, 20 В, 240 мА, SOT323 (50 шт.)
2 160 ₴
- В наличии
- Код: TM036294
Транзистор N-MOSFET ONSEMI MMBF2201NT1G, 20 В, 240 мА, SOT323 (50 шт.)В наличии
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI MMBF2201NT1G — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Пакет содержит 50 единиц в корпусе SC70/SOT323.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 240 мА (импульсный до 750 А)
- Рассеиваемая мощность: 150 мВт
- Корпус: SC70 / SOT323, монтаж SMD
- Комплектация: 50 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает при напряжении сток-исток 20 В и максимальном токе стока 240 мА. В импульсном режиме допустимый ток достигает 750 А, а рассеиваемая мощность составляет 150 мВт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 1 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SC70 (SOT323) для технологии SMD. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а заряд затвора составляет 1,4 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.15 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.24 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Информация для заказа
- Цена: 2 160 ₴