Транзистор ONSEMI MJE15032G, NPN, 250 В, 8 А, 50 Вт, TO220AB (комплект 10 шт.)
1 960 ₴
- В наличии
- Код: TM075663
Транзистор ONSEMI MJE15032G, NPN, 250 В, 8 А, 50 Вт, TO220AB (комплект 10 шт.)В наличии
1 960 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Биполярный транзистор ONSEMI MJE15032G типа NPN в корпусе TO220AB. Предназначен для работы с напряжением коллектор-эмиттер до 250 В и током коллектора до 8 А при рассеиваемой мощности 50 Вт. Пакет содержит 10 единиц компонента для монтажа на плату (THT).
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Напряжение коллектор-эмиттер: 250 В
- Ток коллектора: 8 А
- Рассеиваемая мощность: 50 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Частота перехода: 30 МГц
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Напряжение коллектор-эмиттер составляет 250 В. Максимальный постоянный ток коллектора составляет 8 А, а предельная рассеиваемая мощность — 50 Вт. Частота перехода fT равна 30 МГц.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO220AB. Тип монтажа — THT (through-hole technology), то есть выводы предназначены для пайки в отверстия печатной платы.
Комплектация
Комплект содержит 10 транзисторов ONSEMI MJE15032G.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 50 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 250 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 8 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 30 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 1 960 ₴