Транзистор ONSEMI MJD45H11-1G — это биполярный компонент структуры PNP в корпусе DPAK. Комплект состоит из 20 единиц, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: PNP, биполярный
- Напряжение коллектор-эмиттер: 80 В
- Ток коллектора: 8 А
- Мощность рассеивания: 20 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 80 В и ток коллектора 8 А. Мощность рассеивания составляет 20 Вт. Коэффициент усиления по току равен 60.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе DPAK с типом монтажа SMD. Максимальная рабочая частота составляет 90 МГц.
Характеристики
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип | Корпус |
| Пользовательские характеристики | |
| Граничная частота передачи | 90 МГц |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Максимальная мощность рассеивания | 20 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 80 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 8 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 2 140 ₴

