Транзистор ONSEMI MJD31CT4G NPN 100V 3A DPAK (комплект 30 шт.)
2 270 ₴
- В наличии
- Код: TM075651
Транзистор ONSEMI MJD31CT4G NPN 100V 3A DPAK (комплект 30 шт.)В наличии
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI MJD31CT4G — это биполярный полупроводниковый прибор структуры NPN в корпусе DPAK. Комплект состоит из 30 штук, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Ток коллектора: 3 А
- Рассеиваемая мощность: 15 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 100 В и ток коллектора 3 А. Рассеиваемая мощность составляет 15 Вт, что позволяет использовать его в схемах со средней нагрузкой. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 10...50.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в корпусе DPAK, что обеспечивает компактность и удобство автоматизированного монтажа. Тип монтажа — SMD (поверхностный), подходящий для современных печатных плат. Максимальная рабочая частота составляет 3 МГц.
Характеристики
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип | Корпус |
| Пользовательские характеристики | |
| Граничная частота передачи | 3 МГц |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Максимальная мощность рассеивания | 15 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 100 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 3 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 2 270 ₴