Транзистор STMicroelectronics MJD112T4, NPN, Дарлингтон, DPAK, 100 В, 2 А (набор 30 шт.)
2 560 ₴
- В наличии
- Код: TM036273
Транзистор STMicroelectronics MJD112T4, NPN, Дарлингтон, DPAK, 100 В, 2 А (набор 30 шт.)В наличии
2 560 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Биполярный транзистор структуры Дарлингтон с типом проводимости NPN. Прибор выполнен в корпусе DPAK для поверхностного монтажа и предназначен для работы с напряжением до 100 В и током коллектора до 2 А.
- Тип транзистора: биполярный, структура Дарлингтон
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 2 А
- Максимальная мощность рассеивания: 20 Вт
- Граничная частота передачи: 25 МГц
- Корпус: DPAK, монтаж поверхностный
Электрические параметры
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 100 В, что определяет границы рабочей нагрузки. Максимально допустимый ток коллектора равен 2 А. Граничная частота передачи сигнала — 25 МГц, что характеризует быстродействие устройства.
Мощность и конструкция
Максимальная мощность рассеивания транзистора — 20 Вт. Корпус DPAK. Тип монтажа — поверхностный.
Комплектация
В набор поставляется 30 шт. транзисторов MJD112T4.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 20 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 100 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 2 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 25 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 560 ₴