Транзистор NPN STMicroelectronics MJD112T4, Дарлингтон, 100 В, 2 А, DPAK (30 шт.)
2 560 ₴
- В наличии
- Код: TM036273
Транзистор NPN STMicroelectronics MJD112T4, Дарлингтон, 100 В, 2 А, DPAK (30 шт.)В наличии
2 560 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор STMicroelectronics MJD112T4 — это биполярный компонент типа NPN с архитектурой Дарлингтона. Комплект состоит из 30 единиц в корпусе DPAK, что обеспечивает удобство для серийного монтажа на печатных платах.
- Тип транзистора: NPN, биполярный, Дарлингтона
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Ток коллектора: 2 А
- Рассеиваемая мощность: 20 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 30 шт.
Высокое напряжение и ток коллектора
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 100 В и выдерживает постоянный ток коллектора 2 А. Это позволяет использовать компонент в силовых цепях управления, где требуется надежная коммутация нагрузок со средним уровнем потребления.
Эффективный отвод тепла
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 20 Вт, что требует надлежащего теплового режима. Монтаж осуществляется методом SMD в корпусе DPAK.
Удобный комплект для производства
Упаковка содержит 30 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 20 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 100 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 2 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 25 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 560 ₴