Транзистор ONSEMI MJD112G, NPN, Дарлингтон, DPAK, 100 В, 2 А (комплект 30 шт.)
2 290 ₴
- В наличии
- Код: TM075647
Транзистор ONSEMI MJD112G, NPN, Дарлингтон, DPAK, 100 В, 2 А (комплект 30 шт.)В наличии
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI MJD112G — это биполярный компонент типа NPN со структурой Дарлингтона, предназначенный для работы в электронных схемах. Пакет содержит 30 единиц в корпусе DPAK с монтажом SMD.
- Тип транзистора: NPN, биполярный, структура Дарлингтона
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Ток коллектора: 2 А
- Мощность рассеивания: 1,75 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Компонент рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 100 В и ток коллектора 2 А. Мощность рассеивания составляет 1,75 Вт, что определяет тепловой режим работы устройства. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 100...12000.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
Упаковка включает 30 транзисторов MJD112G.
Характеристики
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип | Корпус |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.75 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 100 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 2 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 2 290 ₴