Транзистор ON Semiconductor MJ802G, NPN, 90 В, 30 А, 200 Вт, TO3 (комплект 3 шт.)
2 120 ₴
- В наличии
- Код: TM075646
Биполярный транзистор ON Semiconductor MJ802G типа NPN в корпусе TO3. Комплект состоит из 3 единиц, предназначенных для монтажа на плату (THT).
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 90 В
- Ток коллектора: 30 А
- Рассеиваемая мощность: 200 Вт
- Корпус: TO3 (TO204), монтаж THT
- Количество в комплекте: 3 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 90 В и постоянный ток коллектора 30 А. Рассеиваемая мощность составляет 200 Вт, что требует эффективного отвода тепла. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 25...100.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в металлическом корпусе TO3 (TO204), который обеспечивает механическую прочность и тепловой контакт с радиатором. Тип монтажа — выводной (THT), что позволяет устанавливать транзистор в отверстия печатной платы.
Частотные характеристики
Граничная частота перехода составляет 2 МГц. Эта характеристика определяет диапазон частот, в котором транзистор может эффективно работать как усилительный или ключевой элемент.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 90 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 30 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 2 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO3, TO204 |
- Цена: 2 120 ₴