Биполярный транзистор ONSEMI MJ21196G типа NPN в корпусе TO3. Предназначен для работы с напряжением до 250 В и током коллектора до 16 А. В комплект входит 3 единицы.
- Тип транзистора: биполярный NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 250 В
- Максимальный ток коллектора: 16 А
- Рассеиваемая мощность: 250 Вт
- Корпус: TO3, монтаж THT
- Количество в наборе: 3 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 250 В и рассеиваемую мощность 250 Вт. Максимальный постоянный ток коллектора составляет 16 А. Частота составляет 4 МГц.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в стандартном корпусе TO3. Монтаж осуществляется выводным методом (THT).
Комплектация
В набор входит 3 транзистора MJ21196G.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 250 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 16 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 4 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 270 ₴


